场效应MOS管P75NF75参数 PD最大耗散功率:300W ID最大漏源电流:80A V(BR)DSS漏源击穿电压:75V RDS(ON)Ω内阻:0.011Ω VRDS(ON)ld通态电流:40A 。
P75NF75:N沟道场效应管。 p75nf75三极管:导电方式为增强,N沟道 ,导电方式为增强型的三极管。 用途:用于MOS-ARR或者陈列组件。 组成:N-FET硅。 P75NF758三...
irfz44v 参数 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A) p75nf75 参数 N-CHANNEL 75V - 0.0095 ohm - 80。
P75N75和P75NF75是两种不同的功率MOSFET器件。它们的区别在于其内部结构和性能参数。P75N75是N沟道MOSFET,而P75NF75是N沟道增强型MOSFET。P75N75具有较低的导。
P75NF75场效应管是一种高性能的功率MOSFET,适用于各种电路应用。它具有低导通电阻和高开关速度的特性,可以用于功率放大、开关电路、逆变器、电源调节器等设计。
STP75NF75管脚排列是:有字的塑封面朝上,从左至右依次是G(栅极)D(漏极)S(源极) P75NF75参数:75V,80A,300W STP75NF75管脚排列是:有字的塑封面朝上,从左至右依次。
P75nf75不能代替fhP20N40。fhP20N40和P75nf75是两种不同的器件,虽然它们可能在某些方面有相似之处,但它们具有不同的特性和功能。fhP20N40可能在某些特定应用。
p75nf不能做逆变器。它是一种二极管,主要用于将交流电转换为直流电。逆变器需要使用具有逆变功能的电子元件,如晶体管、IGBT等,才能将直流电转换为交流电。 p7。
N沟;75V;80A;这是低电压大电流场效应管,我已帮你找了,有点难,一般电压高,电流小很多。 N沟;75V;80A;这是低电压大电流场效应管,我已帮你找了,有点难,一般电压。
这种规格书上会写明功率的,这个在25摄氏度的时候的功率是200W 这种规格书上会写明功率的,这个在25摄氏度的时候的功率是200W
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