FGA25N120,电流25A,耐压1200V。FGA15N120,电流15A,耐压1200V.K25T120,电流25A耐压1200V。可互换,FGA15N120电流稍少了些,1500W以下可用。功。
FGA15N120是不能代换25N120的,他们的参数分别如下: FGA15N120:15A1200V的场效应管; 25N120:25A1200V的场效应管; 但是25N120可以代换FGA15N12。
FGA25N120晶体管的参数:电磁炉上的功率管,它的电流最大承受能力是25A电压耐压是1200V,它比FGA15N120功率更大,如果代换,可能有些电容要换!FGA15N120的参... FG。
15N120NDA是Infineon Technologies公司推出的一款混合绝缘栅双极晶体管(IGBT),其引脚参数如下: 1.引脚1(Emitter 1):输出极1,连接到负载或电机。 2.引脚。
FGA25N120晶体管的参数:电磁炉上的功率管,它的电流最大承受能力是25A电压耐压是1200V,它比FGA15N120功率更大,如果代换,可能有些电容要换!FGA15N120的参... FG。
可以用FGA25N120代用,因为FGA25N120内含阻尼二极管,在代换IGBT功率管时,最高耐压、最大电流符合要求时,内含阻尼二极管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT。
FGA15N120是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于高频电力应用和开关电源设计。它具有较低的导通电阻和快速的开关特性。 如果您需要替代FGA1。
可以用FGA25N120代用,因为FGA25N120内含阻尼二极管,在代换IGBT功率管时,最高耐压、最大电流符合要求时,内含阻尼二极管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT。
这两者都是用于电磁炉的大功率场效应管,其反向耐压均为1200V,但H20R120的电流是20A,而FGA15N120的电流是15A,若从可靠性角度考虑,以FGA25N120代换H20R120更。
FGA25N120 参数为25A1200V FGA15N120 15A1200V FGA20N120 20A 1200v!!!功率不同而已!25N120是最通用的IGBT! FGA25N120 参数为。
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