MOS管场效应管AO4468参数 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id)25°C时 10.5A(Ta) 驱动电压最大Rds 。
百度一下 搜狗搜索 微博搜索 返回主页
回顶部